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液晶显示器的原理及故障维修方法

发表时间:2019-07-22 13:21

  电路方式,此电源电路将交流220V输入电压经过整流滤波电路变成直流电压,再由开关管斩波和降压,得到高频矩形波电压,最后经整流滤波后输出液晶显示器各个模块所需要的直流电压。

  由于液晶采用低电压工作,而一般市电提供提是110V或220V的交流电压,因此显示器需要配备电源。电源的作用是将市电的220V交流电压转变成12V或其它低压直流电,以向液晶显示器供电。

  液晶显示器中的电源部分均采用开关电源。由于开关电源具有体积小、重量轻、变换效率高等优点,因此被广泛应用于各种电子产品中,特别是脉宽调制(PWM)型的开关电源。PWM型开关电源的特点是固定开关频率、通过改变脉冲宽度的占空比来调节电压。PWM开关电源的基本工作原理是:交流电220V输入电源经整流滤波是路变成300V直流电压,再由开关功率管控制和高频变压器降压,得到高频矩形波电压,经整流滤波后获得显示器所需要的各种直流输出电压。脉宽调制器是这类开关电源的核心,它能产生频率固定具脉冲宽度可调的驱动信号,控制开关功率管的导通与截止的占空比,用来调节输出电压的高低,从而达到稳压的目的。

  虽然是电源、高压二合一的电路板,但是它们之间还是相对独立的,所以如果电源出了故障,可以单独维修电源。这里需要说明的是,如果这类板的高压部分坏了,在修不好或没有维修价值的情况下,不必要换整个电路板。高压部分和电源部分虽然在同一块电路板上,但是它们可以单独更换。

  如果更换高压部分,可以将原板的高压部份拆掉(主要拆高压线圈和相关电路元器件),目的是为新高压板留出安装空间。然后将新高压板贴在原板拆件的地方,并将新高压板的供电及信号控制和原板对应接上即可。这是最合理的维修方法,并且在我们日常维修中,采用此方法修复后的高压、电源二合一电路板其性能和原板一样。因为液晶的高压部分只负责背光灯的工作,只要有高压板,灯管就可以工作;只要灯管工作了,背光问题也就自然解决了,所以这并不是太难的问题。

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  ACPL-K312-000E 采用拉伸SO8的2.5A栅极驱动光电耦合器

  ACPL-K312栅极驱动光电耦合器包含一个GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACPL-K312可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。 ACPL-K312的绝缘电压为VIORM = 1140 Vpeak(选件060)。 功能 2.5最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制(CMR),VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(V OL ) I CC = 3 mA最大电源电流 具有滞后的欠压锁定保护(UVLO) 8mm爬电和清除封装 宽工作电压V CC 范围:15至30伏 最大开关速度500 ns 工业温度范围:-40°; C至100°C 安全认证(待定): UL认可3750 Vrms 1分钟。 CSA批准 IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 V IORM = 1140 V peak (选项060 ) 可供选择的是: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2选项 500...

  ACNW3190-000E 5.0安培高输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

  ACNW3190栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适用于额定电压高达1200V / 200 A,600 V / 300 A的直接驱动IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACNW3190可用于驱动分立电源驱动IGBT栅极的阶段。 ACNW3190在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中具有最高的VIORM = 1414 Vpeak绝缘电压。 功能 5.0最大峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制(CMR) )VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(VOL) 无需负栅极驱动 ICC = 5 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 500 ns最大开关速度 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证(UL认可5000 Vrms 1分钟,CSA认证,IEC / EN / DIN EN 60747-5-2认可VIORM = 1414 Vpeak) 应用 IGBT / MOSFET栅极驱动器 AC /无刷直流电机驱动器 工业逆变...

  ACPL-W345-000E 具有拉伸SO6轨到轨输出电压的1.0安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器

  ACPL-W345是一款高速1A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-W345在IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中具有最高的绝缘电压V IORM = 1140Vpeak,并且通过5000 V RMS 认可UL1577 1分钟。 功能 1.0最大峰值输出电流 0.8 A最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟 50 ns最大传播延迟差异 LED带迟滞的电流输入 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:10至20 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可 5000 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM =...

  ACPL-W343-000E 4.0安培输出电流IGBT集成栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

  ACPL-P343 / ACPL-W343 栅极驱动光电耦合器包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出级的集成电路。这种栅极驱动光电耦合器非常适合用于 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,其栅极驱动额定值高达1200V / 200A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P343 / ACPL-W343 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P343和ACPL-W343的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 特性 4.0最大峰值输出电流 3.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差异 带滞后的LED电流输入 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模拒绝(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可37...

  ACPL-W347-000E 1.0A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

  Broadcom ACPL-W347是一款高速1.0A栅极驱动光电耦合器件,它包含一个AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的MOSFET和IGBT。 ACPL-W347具有高绝缘电压V IORM = 1140 V PEAK 符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5并且已通过UL1577认证使用5000 V RMS 1分钟。 功能 1.0 A最大峰值输出电流 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 110ns最大传播延迟 50ns最大传播延迟差异 轨道到 - 轨道输出电压 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在 V CM = 1500 V 具有迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 V...

  ACPL-3130-000E 极高CMR 2.5安培峰值输出电流IGBT栅极驱动器光电耦合器

  ACPL-3130栅极驱动光电耦合器包含一个GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACPL-3130系列可用于驱动驱动IGBT的分立功率级门。 ACPL-3130的绝缘电压为V IORM = 630 V peak (选项060) 功能 高速响应 非常高的CMR 可引导的电源电流 安全认证(待定):

  UL认可 - 3750 V rms 1分钟。 for ACPL-3130 / J313

  CSA认证

  IEC / EN / DIN EN 60747-5-2批准 - V IORM = 630 V 峰值(选项060) 可用选项包括: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2,V IORM = 630 V PEAK 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项 应用 IGBT / MOSFET栅极驱动器 AC /无刷直流电机驱动器 工业逆变器 开关电源(SPS)...

  HCPL-3120栅极驱动光电耦合器包含GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。它非常适用于驱动功率IGBT和MOSFET,用于电机控制反转应用。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。 所提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-3120系列可用于驱动分立电源驱动IGBT栅极的阶段。它在VDE 0884中具有VIORM = 630 V峰值的绝缘电压。 功能 2.0最小峰值输出电流 15 kV / ms最小共模抑制(CMR)at VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(VOL)无需负栅极驱动 ICC = 5 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 500 ns最大开关速度 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证: UL认可 - 3750 Vrms 1分钟。 CSA认证 IEC / EN / DIN EN 60747-5-2批准:VIORM = 630 Vpeak用于选件060 可用选项: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2,VIORM = 630 V峰值 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项应用 ...

  ACNV3130-000E 采用500Mil DIP10封装的2.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

  ACNV3130包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合,可提供2.5A的最大峰值输出电流。 ACNV3130采用500 mil DIP 10封装,适合驱动高达1700V / 100A的IGBT。该封装具有宽的爬电距离和间隙,以及高功率应用所需的高强度绝缘电压。此类应用包括新兴的中压(690V)驱动器,可再生能源逆变器,牵引驱动器和电源。 ACNV3130具有行业最高的13mm爬电距离和间隙,即UL和IEC 60747-5- 5认证为V ISO = 7.5kV RMS 和V IORM = 2262V PEAK 。 特性 2.5最大峰值输出电流 2.0最大峰值输出电流 500 ns最大传播延迟 350 ns最大传播延迟差 40 kV /μs最小共模抑制(CMR),V CM = 1500 V I CC = 5.0 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作V CC 范围: 15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证 - UL认可7500 V RMS 1分钟。 - CSA - IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 2262 V PEAK 可供选择的是: 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项 应用 高绝缘电压(690V)应用...

  ACPL-P345-000E 具有拉伸SO6轨到轨输出电压的1.0安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器

  ACPL-P345是一款高速1A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-P345在IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中具有最高绝缘电压V IORM = 891Vpeak,并且通过3750 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 1.0 A最大峰值输出电流 0.8 A最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟 50 ns最大传播延迟差异 LED电流输入滞后 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:10至20 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可3750 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 891 Vpeak ...

  ACPL-H342-000E 2.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,带有源米勒钳位,轨到轨输出电压和拉伸SO8中的UVLO

  ACPL-K342 / ACPL-H342包含AlGaAs LED,其光耦合到具有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动功率 IGBT 和用于电机控制逆变器应用的MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供栅极控制所需的驱动电压设备。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动 IGBT ,栅极驱动器额定电压高达1200V / 150A。 对于 IGBT 具有更高的额定值,ACPL-H342 / ACPL-K342可用于驱动驱动 IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中,ACPL-H342和ACPL-K342的绝缘电压最高分别为VIORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 特点 2.5 A最大峰值输出电流 2.0A最小峰值输出电流 内置有源米勒钳位 轨到轨输出电压 快速传播延迟以最小化死区时间 t PHL...

  ACPL-T350-000E 具有低Icc的2.5安培输出电流IGBT栅极驱动器光电耦合器

  ACPL-T350栅极驱动光电耦合器包含一个GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACPL-T350系列可用于驱动驱动IGBT的分立功率级门。 ACPL-T350的绝缘电压为V IORM = 630 V peak (选件060)。 功能 2.5A绝对最大峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制( CMR)VCM = 1500 V 1.5 V最大低电平输出电压(VOL) I CC = 4 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 最大开关速度500 ns 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证 - UL认可3750 Vrms 1分钟。 - CSA认证 - IEC / EN / DIN EN 60747-5-2认可的VIORM = 630 Vpeak(选件060) 可选项有: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 VIORM = 630 Vpeak 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选...

  ACPL-P347-000E 1.0A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

  Broadcom ACPL-P347是一款高速1.0A栅极驱动光耦器件,包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的MOSFET和IGBT。 ACPL-P347具有高绝缘电压V IORM = 891 V PEAK 符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5并且已通过UL1577认证使用3750 V RMS 1分钟。 功能 1.0A最大峰值输出电流 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 110ns最大传播延迟 50ns最大传播延迟差异 轨道到 - 轨道输出电压 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在 V CM = 1500 V 具有迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可3750 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 891 V PEAK...

  ACPL-W340-000E 1.0安培输出电流IGBT集成栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

  ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个集成电路光耦合功率输出阶段。这种栅极驱动光电耦合器非常适合驱动 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 特点 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 3.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围: -40°C至105°C 安全认证: UL认可3750/5000 ...

  ACPL-P343-000E 4.0安培输出电流IGBT集成栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

  ACPL-P343 / ACPL-W343 栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个集成电路光耦合功率输出阶段。这种栅极驱动光电耦合器非常适合驱动 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 200A。 对于 具有更高额定值的IGBT,ACPL-P343 / ACPL-W343 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动分立功率级的驱动器IGBT 门。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P343和ACPL-W343的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 特性 4.0最大峰值输出电流 3.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差异 带滞后的LED电流输入 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模拒绝(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可37...

  ACPL-H312-000E 2.5安培输出电流IGBT栅极驱动器光电耦合器,在拉伸SO8中具有低ICC和UVLO

  ACPL-H312光电耦合器包含GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACPL-H312系列可用于驱动驱动IGBT的分立功率级门。 ACPL-H312的绝缘电压为V IORM = 891 V peak (选项060)。 功能 2.5最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制(CMR),VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(V OL ) I CC = 3 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作电压 CC 范围:15至30伏 最大开关速度500 ns 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证(待定):-UL认可3750 Vrms 1分钟。 -CSA认证 -IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 V IORM = 891 V peak (选项060) 可用选项包括: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项 应...

  ACPL-W349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

  Broadcom ACPL-W349是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器件,它包含一个AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的MOSFET和IGBT。 ACPL-W349具有高绝缘电压V IORM = 1140 V PEAK 符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5标准,并通过UL1577认证5000 V RMS 1分钟。 特性 2.5A最大峰值输出电流 宽工作V CC 范围:15至30 V 110ns最大传播延迟 50ns最大传播延迟差异 轨到轨输出电压 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在 V CM = 1500 V 带迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 V PEAK ...

  ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

  ACPL-W346是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-W346具有IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中V IORM = 1140Vpeak的最高绝缘电压,并且通过5000 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 2.5 A最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟 50 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV / s最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作V CC 范围:10工作温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 持续1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 Vpeak 可用选项...

  ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

  ACPL-P340 / ACPL-W340 g 驱动光电耦合器包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。此栅极驱动 光耦非常适合驱动电源 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET 。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 功能 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差异 LED电流输入迟滞 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可375...

  HCPL-5121是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04204购买。 。 HCPL-5121在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的IGBT。对于具有更高额定值的IGBT,HCPL-5121可用于驱动分立功率级,从而驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA标准微电路图 2.0 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV / s在VCM = 1000 V 0.5 V最大低电平输出电压 I...

  HCPL-5151是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04205购买。 。 HCPL-5151在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-5151可用于驱动分立功率级,驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA标准微电路图 0.5 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /微; s,在VCM = 1000 V 1.0 V最大低电平输出电压 Icc = 5mA最大电源...

  线性电源主回路的工作过程是输入电源先经预稳压电路进行初步交流稳压后,通过主工作变压器隔离整流变换成直....

  电源调整率的定义为电源供应器於输入电压变化时提供其稳定输出电压的能力。此项测试系用来验证电源供应器在....

  对于较重要的或功率在几十瓦以上的电源,其效率(或内部功率器件的工作温度)直接决定了它的可靠性、故障率....

  设计了“数控步进直流稳压电源”提出了人性化、高标准、低成本的要求,以微控制器为核心,设计一数字式直流....

  用于限制短路电流、串联在线KV电抗器,一旦发生故障,智能转移负荷或将设备撤出运行检修。有些....

  本文档的主要内容详细介绍的是IGBT驱动模块的设计资料免费下载。如图 1 所示,驱动模块由三个部分组....